[发明专利]双向ESD保护器件、结构及制备方法

权利要求书

1.一种双向ESD保护结构，其特征在于，所述 双向ESD保护结构包括双向ESD保护结构单元，所述ESD保护结构单元包括：

基底，所述基底自上而下包括第一器件功能层、第一绝缘层及第二器件功能层；

设置在所述第一器件功能层中的N阱；

设置于所述N阱两侧的第一P阱和第二P阱；

第一P注入区、第二P注入区和第三P注入区，所述第一P注入区设置于所述第一P阱内，所述第二P注入区设置于所述第二P阱内，所述第三P注入区设置于所述N阱内；

第一N注入区和第二N注入区，所述第一N注入区跨设在所述第一P阱和所述N阱内，所述第二N注入区跨设在所述第二P阱和所述N阱内；

若干设置在所述N阱上的第一导电栅及若干设置在所述第一P阱和所述第二P阱上的第二导电栅，所述第一导电栅还对应设置在所述第一N注入区和所述第三P注入区之间以及所述第二N注入区和所述第三P注入区之间，所述第二导电栅还对应设置在所述第一N注入区和所述第一P注入区之间以及所述第二N注入区和所述第二P注入区之间；以及

穿过所述第一绝缘层与所述第二器件功能层电连接的功能层引出结构；

其中，基于所述第三P注入区、所述N阱以及所述第一P阱和所述第二P阱中的一者实现双向ESD保护；基于所述第一导电栅与所述功能层引出结构及与其电连接的所述第二器件功能层实现触发电压调制。

2.根据权利要求1所述的双向ESD保护结构，其特征在于，所述第一P阱中设有第一隔离区，所述第一隔离区设置在所述第一P注入区远离所述N阱的一侧；所述第二P阱中设有第二隔离区和第三隔离区，所述第二隔离区和所述第三隔离区均设置在所述第二P注入区远离所述N阱的一侧，所述功能层引出结构设置在所述第二隔离区和第三隔离区之间。

3.根据权利要求1所述的双向ESD保护结构，其特征在于，所述双向ESD保护结构包括至少两个并列设置的所述双向ESD保护结构单元，其中，各所述ESD保护结构单元的所述第一导电栅相互电连接，各所述ESD保护结构单元的所述第二导电栅相互电连接，各所述ESD保护结构单元的所述功能层引出结构相互电连接。

4.根据权利要求1所述的双向ESD保护结构，其特征在于，所述第一导电栅连接输入/输出端，所述第二导电栅连接公共接地端。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的双向ESD保护结构，其特征在于，所述基底还包括第二绝缘层及半导体衬底，其中，所述第二绝缘层设置在所述第二器件功能层下方，所述半导体衬底设置在所述第二绝缘层下方，所述基底包括双SOI结构。

6.一种双向ESD保护结构的制备方法，其特征在于，所述双向ESD保护结构的制备方法包括制备双向ESD保护结构单元的步骤，所述双向ESD保护结构单元的制备步骤包括：

提供基底，所述基底自上而下包括第一器件功能层、第一绝缘层及第二器件功能层；

于所述第一器件功能层中形成N阱；

于所述第一器件功能层中且在所述N阱两侧形成第一P阱和第二P阱；

于所述第一P阱内形成第一P注入区，于所述第二P阱内形成第二P注入区，于所述N阱内形成第三P注入区；

于所述第一P阱和所述N阱内形成跨设两区的第一N注入区，于所述第二P阱和所述N阱内形成跨设两区的第二N注入区；

在所述N阱上形成若干第一导电栅，所述第一导电栅还对应设置在所述第一N注入区和所述第三P注入区之间以及所述第二N注入区和所述第三P注入区之间；在所述第一P阱和所述第二P阱上形成若干第二导电栅，所述第二导电栅还对应设置在所述第一N注入区和所述第一P注入区之间以及所述第二N注入区和所述第二P注入区之间；

形成穿过所述第一绝缘层与所述第二器件功能层电连接的功能层引出结构，基于所述第一导电栅与所述功能层引出结构及与其电连接的所述第二器件功能层实现触发电压调制。