[发明专利]一种E/D集成的GaN HEMT器件制备方法有效
| 申请号： | 202011215541.8 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112509924B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 戚永乐;王登贵;周建军;孔岑;孔月婵 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种E/D集成的GaN HEMT器件制备方法，步骤：通过离子注入进行器件隔离；去除E模器件栅极区域的原位SiN层，打开p型GaN的栅电极窗口，通过退火激活工艺激活E模器件栅角所在的p型GaN区域；去除D模器件栅极区域的原位SiN层，再进行二次刻蚀去除D模器件栅极区域的p型GaN层；在器件表面生长一层SiN栅氧介质层；制作E模器件栅电极和D模器件栅电极；打开E模器件和D模器件源漏电极区域；制作E模器件和D模器件漏源电极。本发明采用选区激活的方法，使E/D模器件工艺完全兼容，避免了器件沟道区域的刻蚀损伤，有利于提高GaN E/D集成电路的可靠性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
