[发明专利]晶圆级敏感材料及半导体传感器的喷涂方法在审
| 申请号： | 202011215050.3 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112439658A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 孙建海;马天军;王海容;赵玉龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院;西安交通大学 |
| 主分类号： | B05D1/02 | 分类号： | B05D1/02;B05D1/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种晶圆级敏感材料及半导体传感器的喷涂方法，该晶圆级敏感材料的喷涂方法，包括将制备好的掩膜板上的开孔与基底的敏感区对准；将待涂敷的敏感材料的前驱体溶液注入到喷头上；设置喷头运行参数；将喷头对准掩膜板开始喷涂；喷涂结束后将掩膜板与基底分离，得到所述晶圆级敏感材料。本发明采用高精度掩膜并结合大面积喷涂的方法，可以实现纳米气敏材料晶圆级一次性均匀修饰固定；采用喷涂法，可以通过计算喷涂时间，来精准控制敏感材料成膜厚度；采用高精度掩膜技术，可以完美保护非敏感区域被敏感材料污染而影响后续的封装工艺，因此，采用本发明方法，实现了与后续工艺的完美兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 敏感 材料 半导体 传感器 喷涂 方法 | ||
【主权项】：
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