[发明专利]晶圆级敏感材料及半导体传感器的喷涂方法

权利要求书

1.一种晶圆级敏感材料的喷涂方法，包括：

将制备好的掩膜板上的开孔与基底的敏感区对准；

将待涂敷的敏感材料的前驱体溶液注入到喷头上；

设置喷头运行参数；

将喷头对准掩膜板开始喷涂；

喷涂结束后将掩膜板与基底分离，得到所述晶圆级敏感材料。

2.根据权利要求1所述的喷涂方法，其特征在于，

所述喷头运行参数包括喷头喷速、喷头旋转速度和喷涂时间。

3.根据权利要求1所述的喷涂方法，其特征在于，

所述晶圆级敏感材料敏感区的敏感材料厚度由喷涂时间控制。

4.根据权利要求1所述的喷涂方法，其特征在于，

所述喷涂方法还包括对得到的晶圆级敏感材料进行老化。

5.根据权利要求1所述的喷涂方法，其特征在于，

所述掩膜板的开孔与硅基底的敏感区域贴合。

6.根据权利要求1所述的喷涂方法，其特征在于，

所述掩膜板上的开孔位置、大小与基底上的敏感区域完全一致。

7.根据权利要求1所述的喷涂方法，其特征在于，

所述敏感材料包括金属氧化物纳米材料、碳纳米材料或有机-无机纳米复合材料中的至少一种；

所述敏感材料对某种气体灵敏响应。

8.根据权利要求7所述的喷涂方法，其特征在于，

所述金属氧化物纳米材料是以氧化锌、二氧化钛或二氧化锡为基材合成的多元或复合纳米材料。

9.根据权利要求1所述的喷涂方法，其特征在于，

所述基底包括硅基底、陶瓷基底或玻璃基底中的至少一种。

10.一种半导体传感器的喷涂方法，所述半导体传感器设有若干个不同的敏感区，所述喷涂方法包括：

采用如权利要求1至9任一项所述的喷涂方法对每个敏感区分别进行喷涂。