[发明专利]发光二极管外延片制备方法及发光二极管外延片在审
| 申请号： | 202011194646.X | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112467000A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;梅劲;刘春杨;张武斌;葛永晖 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了发光二极管外延片制备方法及发光二极管外延片，属于发光二极管制作领域。在衬底上依次生长n型层、发光层与p型层之后，在p型层的表面旋涂包括聚甲基丙烯酸甲酯与聚苯乙烯的混合溶液形成溶液薄膜；去除溶液薄膜中的聚苯乙烯组分可以在溶液薄膜上形成多个纳米微孔，腐蚀液进入溶液薄膜上的多个纳米微孔对p型层的表面进行腐蚀，形成与多个纳米微孔一一对应的纳米微坑。去除溶液薄膜后则得到表面上存在多个纳米微坑的p型层。p型层的表面的多个纳米微坑，尺寸较小，且可较大程度地提高p型层表面的粗糙度，减小光线从p型层表面出射时会出现的全反射情况，提供光的出射率最终提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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