[发明专利]发光二极管外延片制备方法及发光二极管外延片

权利要求书

1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型层；

在所述n型层上生长发光层；

在所述发光层上生长p型层以得到发光二极管外延片；

在所述p型层的表面旋涂包括聚甲基丙烯酸甲酯与聚苯乙烯的混合溶液，以在所述p型层的表面形成溶液薄膜；

去除所述溶液薄膜中的聚苯乙烯组分以在所述溶液薄膜上形成多个纳米微孔；

使腐蚀液通过所述纳米微孔在所述p型层的表面腐蚀出多个纳米微坑；

去除所述溶液薄膜。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述混合溶液中，所述聚甲基丙烯酸甲酯与所述聚苯乙烯的质量比为6:4～8:2。

3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，在所述p型层的表面旋涂所述混合溶液的时长为1min～2min。

4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述使腐蚀液通过所述纳米微孔在所述p型层的表面腐蚀出多个纳米微坑，包括：

在所述溶液薄膜的表面旋涂所述腐蚀液，使所述腐蚀液进入所述纳米微坑，以在所述p型层的表面腐蚀出多个纳米微坑。

5.根据权利要求4所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述腐蚀液的旋涂时间为10～20s。

6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述腐蚀液为溶液，且所述腐蚀液中的溶剂包括H₂O或乙醇，所述腐蚀液中的溶质包括HCl、HNO₃、H₂SO₄、H₃PO₄中的至少两种。

7.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法，还包括：

将所述混合溶液旋涂至p型层的表面之前，需要对所述混合溶液进行搅拌。

8.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述去除所述溶液薄膜，包括：

使用溶解所述溶液薄膜的溶解液洗去所述溶液薄膜。

9.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法，还包括：

在去除所述溶液薄膜后，依次使用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗所述发光二极管外延片。

10.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片采用如权利要求1～9任一项所述的发光二极管外延片制备方法进行制备，所述发光二极管外延片包括衬底及所述衬底依次层叠的n型层、发光层与p型层，所述p型层远离所述衬底的表面上具有多个纳米微坑。