[发明专利]一种全共轭嵌段聚合物半导体材料、制备方法及应用有效
| 申请号： | 202011194338.7 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112266468B | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 袁鑫;袁建宇;冯逸丰;张琪麟;李斌 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/46 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215137 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全共轭嵌段聚合物半导体材料、制备方法及应用，属有机聚合物半导体材料技术领域。本发明提供的共轭聚合物为D1‑A1‑D2‑A2结构型，D1，D2代表具有给电子能力的基团，A1,A2代表具有拉电子能力的基团，D1，D2和A1，A2独立地代表未取代或含有取代基的下述基团中的任意一种：单环亚芳基，双环亚芳基、单环杂亚芳基、双环杂亚芳基和稠环结构。本发明提供的聚合物具有性能精确可控，结构多样化的特征，应用于有机聚合物太阳能电池，能有效提升共轭半导体聚合物的性能，无需采用溶剂添加剂或后期退火的方式，即可取得4.2%的光电转换效率，制备得到高性能太阳能电池，并简化了电池的制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共轭 聚合物 半导体材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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