[发明专利]一种全共轭嵌段聚合物半导体材料、制备方法及应用

权利要求书

1. 一种全共轭嵌段聚合物半导体材料，其特征在于它的结构式为：

或

，

n代表聚合物的重复单元个数，为5～500之间的自然数。

2.一种如权利要求1所述的全共轭嵌段聚合物半导体材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）以四三苯基膦钯为催化剂，无水甲苯和二甲基甲酰胺为反应溶剂，按摩尔比1：1，将给体单元D1和受体单元A1，或给体单元D2和受体单元A2，在温度为110℃的条件下进行Stille交叉偶联反应40～60min，制备D1-A1或D2-A2结构聚合物溶液；

（2）将给体单元D2和受体单元A2以摩尔比1：1溶于无水甲苯，加入到步骤（1）制备的结构为D1-A1的聚合物溶液中，或将给体单元D1和受体单元A1以摩尔比1：1溶于无水甲苯，加入到步骤（1）制备的D2-A2结构聚合物溶液中，进行Stille交叉偶联反应，得到[D1-A1]n-[D2-A2]n结构的全共轭嵌段聚合物半导体材料；

其中，

D1为，A1为；

D2为，

A2为；

或者

D2为；

A2为；

n代表聚合物的重复单元个数，为5～500之间的自然数。

3.如权利要求1所述的一种全共轭嵌段聚合物半导体材料的应用，其特征在于：将所述的全共轭嵌段聚合物半导体材料溶解于无水甲苯或氯仿溶剂中，制备总浓度为6～10mg/ml的混合溶液，采用溶液旋涂法，制备体相异质结聚合物太阳能电池。