[发明专利]利用堆叠到衬底连接的高密度支柱互连转换在审
| 申请号： | 202011185959.9 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112786529A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | O·R·费伊;K·K·柯比;A·N·辛格 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及利用堆叠到衬底连接的高密度支柱互连转换。一种半导体装置组合件可包含半导体装置，所述半导体装置具有衬底和电连接到所述半导体装置的电路系统的通孔。个别通孔可具有从所述衬底的第一侧延伸到第二侧的嵌入部分以及从所述衬底的所述第二侧突出的暴露部分。所述组合件可包含密度转换连接器，其包括连接器衬底和形成于所述连接器衬底的第一侧处的第一触点阵列，所述第一触点阵列占用所述连接器衬底的所述第一侧上的第一覆盖面积，且其中所述第一阵列中的个别触点电连接到所述半导体装置的对应通孔的所述暴露部分。所述组合件可包含第二触点阵列，其电连接到所述第一阵列，形成于所述连接器衬底的第二侧处，且占用大于所述第一覆盖面积的第二覆盖面积。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 堆叠 衬底 连接 高密度 支柱 互连 转换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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