[发明专利]利用堆叠到衬底连接的高密度支柱互连转换

权利要求书

1.一种半导体装置组合件，其包括：

第一半导体装置，其包括-

衬底，其具有第一侧和第二侧；以及

通孔，其电连接到所述第一半导体装置的固态电路系统，其中个别通孔具有从所述衬底的所述第一侧延伸到所述第二侧的嵌入部分以及从所述衬底的所述第二侧突出的暴露部分；以及

密度转换连接器，其包括-

连接器衬底，其具有第一侧和第二侧，其中所述连接器衬底的所述第一侧面向所述第一半导体装置的所述第二侧；

第一触点阵列，其形成于所述连接器衬底的所述第一侧处，所述第一触点阵列占用所述连接器衬底的所述第一侧上的第一覆盖面积，且其中所述所述第一触点阵列中的个别触点电连接到所述第一半导体装置的对应通孔的所述暴露部分；以及

第二触点阵列，其电连接到所述第一触点阵列且形成于所述连接器衬底的所述第二侧处，所述第二触点阵列占用大于所述第一覆盖面积的第二覆盖面积。

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一触点阵列具有与所述第二触点阵列数目相同的触点。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中如平行于所述连接器衬底的所述第一侧所测量的所述第一触点阵列中的触点之间的平均侧向距离小于如平行于所述连接器衬底的所述第二侧所测量的所述第二触点阵列中的触点之间的平均侧向距离。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第二触点阵列布置于标准JEDEC布局中。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括形成于所述第一触点阵列中的触点上的第一组焊球，其中一或多个暴露通孔至少部分地定位于所述第一组焊球内。

6.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其进一步包括形成于第二触点阵列中的触点上的第二组焊球，其中所述第二组焊球中的焊球大于所述第一组焊球中的焊球。

7.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其中所述第一触点阵列中的触点包括垫，且其中所述暴露通孔中的一或多个直接接触所述垫中的一或多个。

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括第二半导体装置，所述第二半导体装置包括与所述第二触点阵列对准且电连接到所述第二触点阵列的第三触点阵列。

9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括形成于所述第一半导体装置的所述衬底的所述第一侧处的一或多个测试垫。

10.一种半导体装置组合件，其包括：

第一半导体装置，其包括电连接到所述第一半导体装置的固态电路系统的通孔，其中个别通孔具有延伸穿过所述第一半导体装置的第一衬底的嵌入部分和从所述

第一衬底突出的暴露部分；

密度转换连接器，其包括-

第二衬底，其具有第一侧和第二侧；

一组第一触点，其在所述第二衬底的所述第一侧处，所述一组第一触点占用所述衬底的所述第一侧的第一面积；以及

一组第二触点，其包括与所述一组第一触点数目相同的触点，所述一组第二触点形成于所述衬底的所述第二侧处且占用所述衬底的所述第二侧的第二面积；

其中所述第二面积大于所述第一面积，且其中所述一组第一触点中的个别触点电连接到所述第一半导体装置的对应通孔的所述暴露部分。

11.根据权利要求10所述的半导体装置组合件，其中所述第二衬底的所述第一侧处的所述一组第一触点包括垫和形成于所述垫上的焊球。

12.根据权利要求11所述的半导体装置组合件，其中所述第二衬底的所述第二侧处的所述一组第二触点包括垫和所述垫上的焊球，且其中所述一组第二触点中的所述焊球大于所述一组第一触点中的所述焊球。