[发明专利]一种超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用有效
| 申请号： | 202011167167.9 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113697779B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王笑;张丹亮;易琛;朱小莉;潘安练 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y40/00;B82Y25/00;C01G41/00;B82Y30/00;H01L29/24 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 蒋太炜 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用，属于二维磁性材料开发技术领域。所述新型超薄三硒化二铬纳米片磁性材料，为片状结构；其中，单个片状三硒化二铬纳米片中，厚度为单个晶胞厚度～N个晶胞厚度；所述N大于1；所述单个片状三硒化二铬纳米片的尺寸大于等于18微米。其制备方法为：在保护气氛下，将硒气和含铬气体置于800‑900℃的环境中进行化学气相沉积，得到三硒化二铬纳米片。本发明所设计和制备的三硒化二铬纳米片可应用于过渡金属硫化物的能谷调控；其能谷调控效果明显并能在大气环境下稳定工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 三硒化二铬 纳米 磁性材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
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