[发明专利]一种超薄三硒化二铬纳米片磁性材料及其制备和应用

权利要求书

1.一种超薄三硒化二铬纳米片磁性材料的应用，其特征在于：

将单层过渡金属硫族化合物转移到超薄三硒化二铬纳米片磁性材料上，形成单层过渡金属硫族化合物/三硒化二铬范德华尔异质结，并将单层过渡金属硫族化合物/三硒化二铬范德华尔异质结用于能谷调控；所述单层过渡金属硫族化合物包括二硫化钨；单层二硫化钨/三硒化二铬异质结中的单层二硫化钨在低温下能谷极化值可达50%；

所述超薄三硒化二铬纳米片磁性材料，为片状结构；其中，单个片状三硒化二铬纳米片中，厚度为单个晶胞厚度~N个晶胞厚度；所述单个片状三硒化二铬纳米片的尺寸大于等于18微米；

单个片状三硒化二铬纳米片的垂直投影呈三角形或六边形；

所述N大于1且小于等于5；

所述超薄三硒化二铬纳米片磁性材料通过下述方案制备：

沉积基底包括300nm-SiO₂/Si基底、硅基基底、云母中的一种；

选取硒粉放置在管式炉上游区域，选取催化剂颗粒、铬粉末按照质量比1:5-15的比例混合均匀，将混合好的催化剂、铬粉末放置在管式炉中心区域；所述催化剂选自氯化钠、溴化钠、氯化钾、溴化钾中的至少一种；

加热前向管式炉的石英管中通入100-1000sccm高纯氩气并保持10-20分钟排出管内的其他气体，以确保气氛稳定的生长环境；之后氩气流量稳定在60sccm，再设置管式炉加热温度在25-30分钟升至850-900℃并保温5-10分钟；最后等管式炉自然冷却至室温，得到三硒化二铬纳米片；

硒粉的加热温度为250-350℃，催化剂颗粒和铬粉末组成的混合粉末的加热温度为850-900℃。

2.根据权利要求1所述的一种超薄三硒化二铬纳米片磁性材料的应用，其特征在于：单个片状三硒化二铬纳米片的尺寸大于等于120微米。

3.根据权利要求1所述的一种超薄三硒化二铬纳米片磁性材料的应用，其特征在于：通过干法转移方法将单层二硫化钨转移到三硒化二铬纳米片上，形成单层二硫化钨/三硒化二铬范德华尔异质结。