[发明专利]一种生长大尺寸片状SiC单晶的装置及方法有效
| 申请号： | 202011163933.4 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112342614B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;黄瑞;兰天;代京京;李颖 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B15/34;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 朱鹏 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长大尺寸片状SiC单晶的装置及方法，包括：坩埚；坩埚内放置有SiC原料，坩埚上设有至少一组进气通道和回流通道，进气通道内设有导模板，在进气通道与回流通道的连接处设有籽晶，籽晶通过在籽晶杆连接在籽晶夹持器；坩埚受热后，SiC原料受热分解产生Si蒸气，Si蒸气与坩埚的侧壁和导模板的侧壁上的C发生反应，反应生成的产物在籽晶上生成SiC单晶；多余的Si蒸气在抽风机的作用下通过回流通道重新进入坩埚中。本发明采用PVT法和导模法相结合的方式，结合层流理论，来对SiC单晶的生长进行控制。本发明能够有效节约材料，降低生产成本，提高单晶尺寸和质量，具有良好的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 尺寸 片状 sic 装置 方法 | ||
【主权项】：
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