[发明专利]刻蚀装置在审
| 申请号： | 202011157973.8 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112435924A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 高圣;屈芙蓉;陶晓俊;赵丽丽;沈云华;冯嘉恒;刘晓静;李国庆;夏洋;明帅强 | 申请（专利权）人： | 昆山微电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 何家鹏 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州市昆山祖冲*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于刻蚀技术领域，具体涉及一种刻蚀装置。本发明提出了一种刻蚀装置，刻蚀装置包括：手套箱，所述手套箱内填充有惰性气体；刻蚀机构，所述刻蚀机构设置在所述手套箱内，所述刻蚀机构用于为基片提供刻蚀反应区。根据本发明实施例的刻蚀装置，刻蚀机构设置在填充有惰性气体的手套箱中，刻蚀基片前，将包装好的基片在手套箱中打开后放入刻蚀机构的内部，刻蚀基片后，将基片从刻蚀机构中取出并在手套箱中进行封存，保证刻蚀前后的基片均处于惰性气体的环境中，防止刻蚀前后的基片与外界粉尘污染、氧气、水接触的问题，避免基片被污染或氧化，从而保证基片刻蚀前后的稳定性，进而提高器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
