[发明专利]刻蚀装置在审
| 申请号： | 202011157973.8 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112435924A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 高圣;屈芙蓉;陶晓俊;赵丽丽;沈云华;冯嘉恒;刘晓静;李国庆;夏洋;明帅强 | 申请（专利权）人： | 昆山微电子技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 何家鹏 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州市昆山祖冲*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 | ||
1.一种刻蚀装置，其特征在于，包括：
手套箱，所述手套箱内填充有惰性气体；
刻蚀机构，所述刻蚀机构设置在所述手套箱内，所述刻蚀机构用于为基片提供刻蚀反应区。
2.根据权利要求1所述刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀机构包括：
上盖；
反应腔室，所述上盖以相对所述反应腔室可转动的方式与所述反应腔室连接，所述上盖与所述反应腔室形成刻蚀反应区；
电极，所述电极设置在所述反应腔室中。
3.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述反应腔室与所述上盖之间设有密封结构。
4.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述上盖上设有观察窗。
5.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括射频系统，所述射频系统与所述电极电连接。
6.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括真空系统，所述真空系统能够与所述反应腔室连通。
7.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括供气系统，所述供气系统包括：
第一刻蚀气体管路，所述第一刻蚀气体管路能够与所述刻蚀机构连通；
惰性气体管路，所述惰性气体管路能够与所述反应腔室连通。
8.根据权利要求7所述的刻蚀装置，其特征在于，所述供气系统还包括第二刻蚀气体管路，所述第二刻蚀气体管路能够与所述反应腔室连通。
9.根据权利要求7所述的刻蚀装置，其特征在于，所述供气系统还设有气体质量流量计和气动阀。
10.根据权利要求2所述的刻蚀装置，其特征在于，所述刻蚀装置还包括基片冷却系统，所述基片冷却系统与所述电极连接，所述基片冷却系统用于冷却所述基片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
