[发明专利]GaN功率器件的结温测试装置及方法在审
| 申请号： | 202011157532.8 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112345907A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 贺致远;陈义强;陈媛;路国光;黄云;恩云飞 | 申请（专利权）人： | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 缪成珠 |
| 地址： | 511300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种GaN功率器件的结温测试装置及方法。装置包括控制模块、电压产生模块、电流产生模块以及电压测量模块；电压产生模块用于根据控制模块的控制指令输出开启电压至栅极，以使GaN功率器件导通；电流产生模块用于根据控制模块的控制指令，在GaN功率器件导通后输出脉冲电流至源极和漏极之间；电压测量模块连接于源极和漏极的两端，用于根据控制模块的控制指令，测量源漏极两端电压；控制模块用于根据测量到的源漏极两端电压确定GaN功率器件的结温。解决了小电流注入导致的测试电压过低，整体测试精度低的问题，由于脉冲电流导通时间较短，因此避免大电流注入导致的引入额外热量过多的问题，提高了结温测试的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | gan 功率 器件 测试 装置 方法 | ||
【主权项】：
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