[发明专利]一种低射频损耗的硅基氮化镓射频功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202011141377.0 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112466925B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;杜佳乐;侯斌;芦浩;杨凌;牛雪锐;张新创;贾富春;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种低射频损耗的硅基氮化镓射频功率器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取电阻率为10Ω.cm‑20000Ω.cm的Si衬底，并根据所述Si衬底的不同电阻率在所述Si衬底的正面生长不同厚度的单晶α‑Al |
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| 搜索关键词： | 一种 射频 损耗 氮化 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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