[发明专利]一种改善碳基薄膜耐磨性能的深冷处理工艺在审
| 申请号： | 202011131229.0 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112209361A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李瑞云;张俊彦;杨兴;侯德良;孙朝杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01B32/05 | 分类号： | C01B32/05;C01B32/156;C01B32/21;C01B32/184 |
| 代理公司： | 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 | 代理人： | 曹向东 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善碳基薄膜耐磨性能的深冷处理工艺，该工艺是指：将碳基薄膜置于充满深冷介质的密闭设备中，在降温速率为2~5℃/min、处理温度为‑100℃~‑200℃±1℃的条件下保温处理4 h~24 h，得到深冷处理后的碳基薄膜；所述深冷处理后的碳基薄膜置于空气中进行回温处理即可。本发明工艺简单、成本低，可使碳基薄膜硬度明显增加，满足不同领域的需求，不但延长了碳基薄膜的使用寿命，而且极大地改善碳基薄膜耐磨性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 薄膜 耐磨 性能 冷处理 工艺 | ||
【主权项】：
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