[发明专利]一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺在审
| 申请号： | 202011127816.2 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN112342573A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王瑞林;王刚;陈金伟;姜春萍;张洁;徐朔 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C25C1/22 | 分类号： | C25C1/22;C25C7/00;C25C7/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 龚燮英 |
| 地址： | 610065 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺，包括底板，所述底板的顶部固定安装有电解液调配组件，所述电解液调配组件的右侧设置有升降装置，所述升降装置的表面固定安装有电源，所述升降装置的底部设置有夹持组件，所述夹持组件的表面设置有负极板和正极板。本发明所述的4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺具有沉积电流密度大，沉积效率高，制备周期短，电解液循环利用，成本低廉，环境友好和易于产业化等优点，可有效应用于硫酸盐体系电沉积制备4N(99.99％)精铟，为5N，6N和7N高纯铟的制备和应用提供原材料，通过设置的升降装置和夹持组件，使其在制备完成后，能够方便将正极板和负极板取下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 高效率 低成本 硫酸盐 体系 沉积 工艺 | ||
【主权项】：
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