[发明专利]一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺在审

专利信息
申请号: 202011127816.2 申请日: 2020-10-20
公开(公告)号: CN112342573A 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 王瑞林;王刚;陈金伟;姜春萍;张洁;徐朔 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C25C1/22 分类号: C25C1/22;C25C7/00;C25C7/06
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 代理人: 龚燮英
地址: 610065 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 高效率 低成本 硫酸盐 体系 沉积 工艺
【说明书】:

发明公开了一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺,包括底板,所述底板的顶部固定安装有电解液调配组件,所述电解液调配组件的右侧设置有升降装置,所述升降装置的表面固定安装有电源,所述升降装置的底部设置有夹持组件,所述夹持组件的表面设置有负极板和正极板。本发明所述的4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺具有沉积电流密度大,沉积效率高,制备周期短,电解液循环利用,成本低廉,环境友好和易于产业化等优点,可有效应用于硫酸盐体系电沉积制备4N(99.99%)精铟,为5N,6N和7N高纯铟的制备和应用提供原材料,通过设置的升降装置和夹持组件,使其在制备完成后,能够方便将正极板和负极板取下。

技术领域

本发明涉及稀散金属铟的电化学提纯精炼技术领域,具体为一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺。

背景技术

稀散金属铟是一种宝贵的战略资源,其最重要的用途是用作半导体、电子器件、透明导电玻璃的涂层(ITO),生产这些器件需要纯度很高的金属铟,否则,其中的杂质会直接影响器件的性能,如电子器件中要求产品杂质含量不超过10μg/g,半导体器件要求杂质含量小于0.1μg/g。为了获得更高纯度的铟,目前分离提纯铟的方法有硫化法、萃取法、熔融盐精炼、真空蒸馏、区域熔炼法、离子交换法、卤化物歧化法、金属有机物法和电解精炼法等。这些关于铟的提纯方法各有优缺点,一部分技术仍处于试验研究阶段,有些方法存在环境污染严重,工艺技术路线复杂和生产成本高等问题。电解精炼法属于电沉积工艺,具有提纯技术成熟,效果稳定可靠,操作管理简单,设备占地面积小和环境友好等优点,可以获得4N以上的高纯铟,是当今铟产业化的首选途径之一。

但目前广泛采用的电沉积制备4N精铟的工艺需要与熔融盐精炼等方法联用,依然存在流程复杂,有毒尾气难以处理,规模难以扩大,且制备过程中取料较为复杂。因此,开发一种制备4N铟的高效率、低成本的电沉积工艺非常重要。

发明内容

本发明的目的在于提供一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺,具备高效率、低成本的优点,解决了目前广泛采用的电沉积制备4N精铟工艺需要与熔融盐精炼等方法联用时存在的流程复杂、有毒尾气难以处理以及规模难以扩大等问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种制备4N铟的高效率、低成本硫酸盐体系电沉积工艺,包括底板,所述底板的顶部固定安装有电解液调配组件,所述电解液调配组件的右侧设置有升降装置,所述升降装置的表面固定安装有电源,所述升降装置的底部设置有夹持组件,所述夹持组件的表面设置有负极板和正极板,所述底板的顶部固定安装有制备组件。

所述电解液调配组件包括混合电机,所述底板的顶部固定安装有调配箱,所述调配箱的底部固定安装有混合电机,所述混合电机的动力输出端固定安装有第一搅拌叶,所述调配箱的内部固定安装有第一电控加热器,所述调配箱的右侧固定安装有过滤箱,所述过滤箱的表面设置有盖板,所述盖板的表面固定安装有过滤板,所述过滤箱的顶部固定安装有输送泵。

所述升降装置包括支撑架,所述底板的顶部固定安装有支撑架,所述支撑架的顶端固定安装有驱动电机,所述驱动电机的动力输出端固定安装有螺杆,所述螺杆的表面滑动连接有移动块,所述支撑架的表面固定安装有滑杆,所述滑杆的表面滑动连接有承载块,所述承载块的表面固定安装有安装板。

所述夹持组件包括固定板,所述安装板的底部固定安装有固定板,所述固定板的表面固定安装有滑轨,所述滑轨的表面滑动连接有滑块,所述滑块的表面固定安装有齿条,所述滑块的顶部固定安装有气缸,所述固定板的内部活动连接有转轴,所述转轴的表面固定安装有齿轮,所述齿轮的顶部的设置有夹臂。

所述制备组件包括制备箱,所述底板的顶部固定安装有制备箱,所述制备箱的底部固定安装有搅拌电机,所述搅拌电机的动力输出端固定安装有第二搅拌叶,所述制备箱的右侧设置有堵头。

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