[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 202011118720.X | 申请日： | 2016-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN112233713A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 前嶋洋;柴田升 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/34;G11C16/04;G11C16/26;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可提升处理能力的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包含可设定为至少4个阈值电压中的任一个阈值电压的第1存储单元(MT)、第1位线(BL)、字线(WL)、及连接于第1位线(BL)的第1感应放大器(SAU)。第1感应放大器(SAU)是在对字线(WL)施加第1电压的第1验证操作中，对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)，在对字线(WL)施加比第1电压高的第2电压的第2验证操作中，不对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)，在对字线(WL)施加比第2电压高的第3电压的第3验证操作中，对第1位线(BL)施加充电电压(VPCH)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝存储器株式会社，未经东芝存储器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011118720.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
