[发明专利]一种基于二维V2在审

专利信息
申请号: 202011116882.X 申请日: 2020-10-19
公开(公告)号: CN112271253A 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 张强强;何南;童祎 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 代理人: 姚姣阳
地址: 210003 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种基于二维V2C材料的忆阻器及其制备方法,忆阻器由下至上分为若干层,依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极,阻变层位于底电极和顶电极之间,阻变层包括介质层和二维V2C材料膜,二维V2C材料膜旋涂于介质层的上表面,介质层的底部与底电极的顶部相接触;二维V2C材料膜的顶部与顶电极的底部相接触;忆阻器采用二维V2C材料,在不同的限制电流下表现出易失和非易失特性共存的现象,具有良好的稳定性、高重复性及较低的工作电压等优点。
搜索关键词: 一种 基于 二维 base sub
【主权项】:
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