[发明专利]一种基于二维V2

权利要求书

1.一种基于二维V₂C材料的忆阻器，其特征在于，由下至上分为若干层，依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极，所述阻变层设置于所述底电极和所述顶电极之间，所述阻变层包括介质层和二维V₂C材料膜，所述二维V₂C材料膜铺设于所述介质层的上表面，所述介质层的底部设置在所述底电极的顶部上，所述二维V₂C材料膜的顶部上安装所述顶电极。

2.根据权利要求1所述的一种基于二维V₂C材料的忆阻器，其特征在于，所述衬底为硅衬底，所述底电极为钨层，厚度为80nm，所述介质层为二氧化钛层，厚度为60nm，所述顶电极为银层，厚度为80nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于二维V₂C材料的忆阻器，其特征在于，所述二维V₂C材料膜通过甩胶机旋涂于所述介质层的上表面。

4.根据权利要求1所述的一种基于二维V₂C材料的忆阻器，其特征在于，所述顶电极通过掩模版制备而成。

5.根据权利要求1所述的一种基于二维V₂C材料的忆阻器，其特征在于，所述底电极通过磁控溅射法溅射形成于所述衬底上，所述介质层通过磁控溅射法溅射形成于所述底电极上，所述顶电极通过磁控溅射法溅射形成于所述二维V₂C材料膜上。

6.一种基于二维V₂C材料的忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤，

步骤S1、清洗衬底，将清洗好的衬底放入溅射室内的样品台上，把溅射室内抽至真空状态，选取装有底电极材料的靶枪作为溅射源，通过磁控溅射仪溅射沉积得到底电极；

步骤S2、维持溅射室的真空环境，用装有介质层材料的靶枪作为溅射源，在底电极的上表面均匀溅射出介质层；

步骤S3、称取二维V₂C材料粉末放入离心管内，并加入二甲基亚砜溶液混合后进行超声振荡，获取二维V₂C材料与二甲基亚砜的混合溶液；

步骤S4、混合溶液，滴在介质层上，通过甩胶机进行旋涂，获取二维V₂C材料膜；

步骤S5、对二维V₂C材料膜进行烘干后，将掩模板固定在二维V₂C材料膜上，选取装有顶电极材料的靶枪作为溅射源，并溅射沉积得到顶电极，完成基于二维V₂C材料的忆阻器的制备。

7.根据权利要求6所述的一种基于二维V₂C材料的忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中清洗衬底的具体步骤如下，

步骤S11、纯水超声：将衬底放入烧杯中，在烧杯中加入纯水，放入超声波清洗机中进行清洗，20min后取出；

步骤S12、丙酮超声：将纯水超声后烧杯中的液体倒入废液桶，加入丙酮溶液，放入超声波清洗机中进行清洗，20min后取出；

步骤S13、乙醇超声：将丙酮超声后烧杯中的液体倒入废液桶，加入乙醇溶液，放入超声波清洗机中进行清洗，20min后取出；

步骤S14、烘干：将清洗后的衬底取出放入洁净的培养皿，置于烘干箱中，在80 ℃下烘干15min后取出。

8.根据权利要求6所述的一种基于二维V₂C材料的忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中选用装有介质层材料的靶枪作为溅射源时，设定磁控溅射仪的功率为100W，加热至100 ℃，溅射时长设为26min52s。

9.根据权利要求6所述的一种基于二维V₂C材料的忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述二维V₂C材料与二甲基亚砜的混合溶液的浓度为10mg/ml，所述超声振荡的时间为1h。

10.根据权利要求6所述的一种基于二维V₂C材料的忆阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤S4中，所述甩胶机的旋涂设置为：在1000r/min的转速下旋涂1min。