[发明专利]一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法有效
| 申请号： | 202011101998.6 | 申请日： | 2020-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112446131B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 邵天骢;郑琼林;李志君;李虹;黄波;邱志东;张志朋;王作兴;王佳信 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/30 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种SiC MOSFET驱动电路参数优化设计方法，用于提升SiC基电力电子变换器的设计可靠性。该参数设计方法包括：构造干扰路径传递函数的特征多项式；根据特征多项式构造标准二阶系统；取SiC MOSFET的输入电容C |
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| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 驱动 电路 参数 优化 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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