[发明专利]一种二氧化钛单晶外延薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202011096288.9 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112251810B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吴长征;代保湖;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/14;C30B25/18;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二氧化钛单晶同质外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)在基底表面生长二氧化钛纳米线单晶阵列；B)将步骤A)得到的基底置于反应器中，在反应器中通入钛源后再通入水进行原子层沉积；C)重复步骤B)数次，得到二氧化钛单晶外延薄膜。本申请利用原子层沉积技术在二氧化钛纳米线单晶阵列表面生长了高质量的同质外延薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 钛单晶 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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