[发明专利]一种二氧化钛单晶外延薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202011096288.9 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112251810B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 吴长征;代保湖;谢毅 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B25/14;C30B25/18;C23C16/02;C23C16/40;C23C16/455 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 钛单晶 外延 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种二氧化钛单晶同质外延薄膜的制备方法，包括以下步骤：
A)在基底表面生长二氧化钛纳米线单晶阵列；
B)将步骤A)得到的基底置于反应器中，在反应器中通入钛源后再通入水进行原子层沉积；
C)重复步骤B)数次，得到二氧化钛单晶同质外延薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤A)之后还包括：
将二氧化钛纳米线单晶阵列进行退火处理。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，钛源选自四(二甲氨基)钛、四氯化钛、四异丙醇钛和叔丁醇钛中的一种。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述原子层沉积之前，所述钛源的温度为80～100℃，所述水的温度为20～30℃，所述二氧化钛纳米线单晶阵列的温度为200～300℃。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述钛源的通入方式具体为通入0.1～1s后抽真空5～10s。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述水的通入方式具体为通入0.1～1s后抽真空5～10s。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述反应器的压强为200～500Pa，所述反应器的温度为200～300℃。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通入钛源和所述通入水的载气为氮气，流速为10～50sccm。
9.根据权利要求1～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述外延薄膜的生长速率为0.247nm/min。
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