[发明专利]一种TFET器件研究用模拟系统有效
| 申请号： | 202011093925.7 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112379238B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 许会芳;王娜;孙雯 | 申请（专利权）人： | 安徽科技学院 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R1/04 |
| 代理公司： | 合肥信诚兆佳知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34159 | 代理人： | 邓勇 |
| 地址： | 233100 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于TFET器件技术领域，尤其是一种TFET器件研究用模拟系统，现提出如下方案，包括底板，所述底板的贯穿有第一通孔，所述第一通孔的底部安装有推动机构，所述第一通孔的顶部开口处安装有与底板顶部固接的矩形结构的承载机构，所述承载机构外侧安装有与底板顶部固接的罩壳，所述承载机构相邻的两侧外侧壁均安装有与罩壳固接的衬底上料机构，所述衬底上料机构的正下方安装有位于底板顶部的衬底输送机构，所述承载机构的顶部安装有与罩壳顶部内侧壁固结的顶端上料机构。本发明该设计利用模拟预组装检测方式对TFET器件进行操作，方便对设计的TFET器件性能进行检测研究，提高对TFET器件研究效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tfet 器件 研究 模拟 系统 | ||
【主权项】：
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