[发明专利]用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件有效
申请号: | 202011085015.4 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112289791B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 张立森;梁士雄;杨大宝;宋旭波;吕元杰;顾国栋;徐鹏;冯志红 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L29/47;H01L29/872 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件,属于半导体器件技术领域,包括多个同向并联的肖特基结。本发明提供的用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管,采用多个同向肖特基结并联的形式,进而增加总电容数值,提高电容测试精度,通过测试多个二极管电容的准确值,再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。 | ||
搜索关键词: | 用于 赫兹 频段 电容 测试 肖特基 二极管 半导体器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的