[发明专利]用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件

权利要求书

1.一种肖特基二极管的太赫兹频段结电容测试方法，其特征在于，包括：多个同向并联的肖特基结；

二极管包含7个同向并联的肖特基结，通过增加并联肖特基结的个数，提高二极管器件的总电容，通过测试多个二极管电容的准确值，再进行线性拟合得到单结二极管的准确结电容。

2.如权利要求1所述的肖特基二极管的太赫兹频段结电容测试方法，其特征在于，所述肖特基结包括衬底，所述衬底的上表面设有重掺杂GaAs层和钝化层，所述钝化层将所述重掺杂GaAs层分隔开，在所述钝化层上方形成隔离区，所述重掺杂GaAs层分隔后相对的两面为斜面，且两个斜面之间的距离从下至上逐渐增大；

所述重掺杂GaAs层靠近所述钝化层一侧的上表面均设有低掺杂GaAs层，所述低掺杂GaAs层的上表面均设有二氧化硅层，其中一个所述低掺杂GaAs层上还设有肖特基接触金属层，所述二氧化硅层围绕在所述肖特基接触金属层的四周；

所述重掺杂GaAs层远离所述钝化层一侧的上表面均设有欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属层的上表面均设有金属加厚层；所述肖特基接触金属层与对面的所述金属加厚层通过空气桥连接。

3.如权利要求2所述的肖特基二极管的太赫兹频段结电容测试方法，其特征在于，所述肖特基接触金属层为多层金属结构，自下至上依次为Ti金属层、Pt金属层和Au金属层。

4.如权利要求2所述的肖特基二极管的太赫兹频段结电容测试方法，其特征在于，所述欧姆接触金属层为多层金属结构，自下至上依次为Ni金属层、Au金属层、Ge金属层、Ni金属层和Au金属层。

5.如权利要求2所述的肖特基二极管的太赫兹频段结电容测试方法，其特征在于，所述钝化层为氮化硅。

6.如权利要求2所述的肖特基二极管的太赫兹频段结电容测试方法，其特征在于，所述金属加厚层为Au金属。

7.如权利要求2所述的肖特基二极管的太赫兹频段结电容测试方法，其特征在于，所述重掺杂GaAs层，掺杂浓度为10^18cm^-3量级。

8.如权利要求2所述的肖特基二极管的太赫兹频段结电容测试方法，其特征在于，所述低掺杂GaAs层，掺杂浓度为1e16 cm^-3-5e17 cm^-3。