[发明专利]遮光相机及其制造方法有效
| 申请号： | 202011082068.0 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN112652639B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 陈腾盛;陈伟平;锺莹;洪政裕 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制造遮光相机的方法，包括通过切割相机晶片堆栈来形成多个相机管芯，该相机晶片堆栈包括：(a)具有多个图像传感器的图像传感器晶片；(b)接合至图像传感器晶片的覆盖玻璃；以及(c)接合至覆盖玻璃并具有多个透镜的透镜晶片，以形成多个相机管芯。该方法还包括，在切割步骤之前，(i)从图像传感器晶片的背离覆盖玻璃且至少部分地被不透明层覆盖的第一侧，预切割包括图像传感器晶片和覆盖玻璃的传感器‑覆盖晶片堆栈，以及(ii)在预切口中沉积不透明材料。该方法还包括：在切割步骤之后，向通过切割步骤形成的相机管芯的第二侧表面施加不透明涂层。 | ||
| 搜索关键词： | 遮光 相机 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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