[发明专利]遮光相机及其制造方法有效
申请号: | 202011082068.0 | 申请日: | 2020-10-12 |
公开(公告)号: | CN112652639B | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 陈腾盛;陈伟平;锺莹;洪政裕 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;王艳春 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮光 相机 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造遮光相机的方法,包括:
通过切割相机晶片堆栈来形成多个相机管芯,所述相机晶片堆栈包括:具有多个图像传感器的图像传感器晶片;接合至所述图像传感器晶片的覆盖玻璃;以及接合至所述覆盖玻璃并具有多个透镜的透镜晶片,每个相机管芯均包括所述图像传感器中的一个、所述覆盖玻璃的部分以及所述透镜中的一个;
在所述切割之前:
从所述图像传感器晶片的背离所述覆盖玻璃且至少部分地由不透明层覆盖的第一侧,预切割包括所述图像传感器晶片和所述覆盖玻璃的传感器-覆盖晶片堆栈,以形成用于所述切割的预切口,以及
在所述预切口中沉积不透明材料;以及
在所述切割之后,向所述相机管芯的第二侧表面施加不透明涂层,所述第二侧表面通过所述切割形成。
2.如权利要求1所述的方法,所述沉积步骤包括在不填充所述预切口的情况下将所述不透明材料沉积在由所述预切口暴露的表面上。
3.如权利要求1所述的方法,还包括:将所述透镜晶片接合至所述覆盖玻璃,以形成所述晶片堆栈。
4.如权利要求3所述的方法,还包括:在所述预切割步骤之前,执行所述接合步骤,所述覆盖玻璃具有不大于400微米的厚度。
5.如权利要求4所述的方法,其中,所述预切口具有至少50微米的深度。
6.如权利要求4所述的方法,还包括:在所述沉积和所述切割步骤之间,在所述图像传感器上植入焊球。
7.如权利要求3所述的方法,还包括:在所述预切割步骤之后,执行所述接合步骤,所述覆盖玻璃的厚度至少为400微米。
8.如权利要求7所述的方法,还包括:在所述沉积和所述接合步骤之间,在所述图像传感器上植入焊球。
9.如权利要求1所述的方法,所述施加步骤包括:对于所述至少一个相机管芯中的每个:
通过将所述相机管芯安置在掩模的凹部中,临时掩蔽所述第一侧,以密封所述相机管芯的所述图像传感器的所述第一侧;
临时掩蔽所述相机管芯的与所述第一侧相对的第三侧;以及
在所述第三侧和所述第一侧被临时掩蔽的同时,施加所述不透明涂层。
10.如权利要求9所述的方法,所述掩模包括基板、粘附到所述基板的双面粘合剂、以及设置在所述双面粘合剂上的与所述基板相对的顶层,所述顶层形成孔,所述孔与所述双面粘合剂的未覆盖部分协作,以形成所述凹部。
11.如权利要求9所述的方法,所述切割步骤的特征在于,在所述预切口中沉积所述不透明层之后,切割宽度小于所述预切口的宽度,使得每个相机管芯均形成凸缘,所述凸缘面向与所述第一侧相同的方向,并围绕所述相机管芯的光轴,临时掩蔽所述第一侧的所述步骤包括:将所述相机管芯安置在所述凹部内,使得所述凸缘在所述凹部外。
12.如权利要求11所述的方法,其中,临时掩蔽所述第一侧的所述步骤包括:将所述相机管芯安置在所述凹部内,使得所述凸缘与所述掩模接触,所述凸缘与所述掩模之间的接触界面围绕所述凹部。
13.如权利要求1所述的方法,所述不透明层是黑色焊料掩模材料。
14.如权利要求1所述的方法,所述预切口的深度在70微米与120微米之间的范围内。
15.如权利要求1所述的方法,还包括:
在所述预切割步骤之前,对所述第一侧进行刻划,以形成划线;以及
在所述预切割步骤中,在所述划线上形成所述预切口中的至少一些。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的