[发明专利]一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置及方法在审
申请号: | 202011076048.2 | 申请日: | 2020-10-10 |
公开(公告)号: | CN112034691A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 甘棕松 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 武汉华之喻知识产权代理有限公司 42267 | 代理人: | 王世芳;曹葆青 |
地址: | 430074 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置以及方法,属于投影光刻领域,投影光刻装置包括两种形式,一种为分体式,一种为合体式,分体式两束光分别进入两个物镜,合体式两束光共用一个物镜。本装备使用两束相同或不同波长的光,一束为制造光,另一束为辅助光,两束光被调制为光强阴阳文互补的图案,辅助光对制造光产生的图案边缘的衍射具有矫正作用,可以减低或者消除制造光产生的图案边缘的衍射模糊范围,从而达到超衍射极限的光刻分辨率。本发明适用于阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻的实现,相比传统光刻机减小光源波长来提高光刻分辨率的设计思路,本发明能大幅度降低光刻机制造难度和制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 阴阳 互补 光强掩膜版双 光束 投影 光刻 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011076048.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:次氯酸发生器
- 下一篇:一种基于激光直写的金属氧化物微纳结构、其制备和应用