[发明专利]一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置及方法

权利要求书

1.一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置，其特征在于，其包括第一光源、第二光源、第一阴阳文互补掩膜版(1)、第二阴阳文互补掩膜版(2)、第一光刻物镜(5)、第二光刻物镜(6)，其中，

第一光源用于出射第一光束，第一光束用作制造光，制造光用于依次通过第一掩膜版(1)和第一光刻物镜(5)，经缩微投影至光刻胶材料上进行光刻，

第二光源用于出射第二光束，第二光束用作辅助光，辅助光用于依次通过第二掩膜板(2)和第二光刻物镜(6)，经缩微投影至光刻胶材料上，

第一掩膜版(1)和第二掩膜版(2)两者图案相互补，以能使经第一掩膜版(1)的制造光和经过第二掩膜版(2)的辅助光在微缩投影到光刻胶上后形成光强阴阳文互补图案，

光强阴阳文互补图案在制造光对应投影图案衍射边缘处对准，两束光对光刻胶材料共同作用，能减小制造光由衍射带来的对投影图案衍射边缘的影响，使之衍射边缘尺寸变小，投影图案边缘更明锐。

2.如权利要求1所述的一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置，其特征在于，所述第一掩膜版(1)和第二掩膜版(2)为强度型掩膜版、相位型掩膜版、偏振型掩模版或者强度、相位和偏振混合型掩膜版。

3.一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置，其特征在于，其包括第一光源、第二光源、第一阴阳文互补掩膜版(1)、第二阴阳文互补掩膜版(2)、双色镜(9)、反射镜(10)和光刻物镜(12)，其中，

第一光源用于出射第一光束，第一光束用作制造光，制造光用于依次通过第一掩膜版(1)和双色镜(9)，最后经光刻物镜(12)缩微投影至光刻胶材料上进行光刻，

第二光源用于出射第二光束，第二光束用作辅助光，辅助光用于依次通过第二掩膜版(2)、反射镜(10)以及双色镜(9)，辅助光依次被反射镜(10)和双色镜(9)反射后改变传播方向，最后经光刻物镜(12)被缩微投影至光刻胶材料上，

制造光和辅助光分别被第一掩膜版(1)和第二掩膜版(2)调制成光强阴阳文互补图案，光强阴阳文互补图案在制造光对应投影图案衍射边缘处对准，两束光对光刻胶材料共同作用，能减小制造光由衍射带来的对投影图案衍射边缘的影响，使之衍射边缘尺寸变小，投影图案边缘更明锐。

4.如权利要求3所述的一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置，其特征在于，所述第一掩膜版(1)和第二掩膜版(2)为强度型掩膜版、相位型掩膜版、偏振型掩模版或者强度、相位和偏振混合型掩膜版。

5.如权利要求1-4之一所述的一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置的工作方法，其特征在于，制造光和辅助光分别被第一掩膜版(1)和第二掩膜版(2)调制后微缩投影成光强阴阳文互补的图案，制造光和辅助光作用于光刻胶的时间顺序为制造光前于辅助光，或者制造光后于或同时于辅助光，两束光作用于光刻胶的时间长度相同或者不同。

6.如权利要求5所述的一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置的工作方法，其特征在于，制造光多次投影后，再投影对应的辅助光，或者，每次投影制造光后，紧接着投影对应的辅助光。

7.如权利要求3-4之一所述的一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置的工作方法，其特征在于，制造光和辅助光经过同一个物镜(12)后，一同投影到光刻胶材料上。

8.如权利要求5-7之一所述的一种阴阳文互补光强掩膜版双光束投影光刻装置的工作方法，其特征在于，光刻胶的光敏分子材料选自下列材料中的一种或者多种：二芳基乙烯及其衍生物，二噻吩乙烯及其衍生物，螺吡喃及螺吡喃类衍生物，噁嗪类及噁嗪类衍生物，螺嗪类及螺嗪类衍生物，荧光蛋白类，萘并吡喃及萘并吡喃类衍生物，萘并萘醌及萘并萘醌类衍生物，紫精及紫精类衍生物，丁烯二腈及丁烯二腈类衍生物，芴小分子衍生物，六芳基联咪唑及其衍生物，俘精酸酐及其衍生物和罗丹明类衍生物。