[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202011073887.9 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN111933572A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陶磊;冯永波;王厚有;刘西域 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁上依次形成第一氧化硅层和氮掺杂氧化硅层；刻蚀去除部分所述氮掺杂氧化硅层，以暴露出位于所述沟槽的底部的所述第一氧化硅层；形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖位于所述沟槽侧壁上的所述氮掺杂氧化硅层的表面和暴露出的所述第一氧化硅层的表面，且填满所述沟槽。由于第二氧化硅在第一层氧化硅层上的生长速率大于在氮氧化硅层的生长速率，故沟槽底部第二氧化硅的生长速率大于所侧壁的氮氧化硅层，避免因位于沟槽侧壁的第二氧化硅层生长过快而导致过早封口产生空洞缺陷的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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