[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011071147.1 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112652655A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 奥村谦太郎;大岳秀和;束原肇;渡边行彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/30;H01L29/45;H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈珊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及碳化硅半导体器件和用于制造碳化硅半导体器件的方法。从n |
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| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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