[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体器件，包括：

具有正面(1a)和背面(1b)的碳化硅半导体衬底(1)；和

多个欧姆电极(11)，其与在所述碳化硅半导体衬底的所述正面和所述背面中至少一个上的碳化硅表面欧姆接触，其中：

所述多个欧姆电极分散在所述碳化硅表面上以提供凹陷和凸起；以及

所述凹陷和凸起具有小于1.0μm的因所述欧姆电极导致的高度(H1)。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中：

所述欧姆电极包括NiSi和设置在所述NiSi内部的MoC；以及

所述NiSi和所述MoC分散以提供所述凹陷和凸起。

3.一种用于制造碳化硅半导体器件的方法，所述碳化硅半导体器件包括：具有正面(1a)和背面(1b)的碳化硅半导体衬底(1)；和多个欧姆电极(11)，其与在所述碳化硅半导体衬底的所述正面和所述背面中至少一个上的碳化硅表面欧姆接触，所述方法包括：

形成由金属材料制成的金属薄膜(110)，用于在所述碳化硅上形成硅化物和碳化物中的至少一种以与所述欧姆电极欧姆接触；和

通过在所述金属薄膜上照射激光束(50)执行激光退火使所述金属薄膜与所述碳化硅中的Si或C反应并形成金属硅化物和金属碳化物中的至少一种，形成所述欧姆电极，其中：

所述激光退火通过顶帽型激光执行。

4.根据权利要求3所述的用于制造碳化硅半导体器件的方法，还包括：

在形成所述金属薄膜之前，通过去除所述碳化硅半导体衬底的在其上形成有所述欧姆电极的表面来使所述碳化硅半导体衬底变薄，其中：

在所述变薄之后的所述碳化硅半导体衬底的所述表面具有等于或小于5nm的表面粗糙度。

5.根据权利要求3所述的用于制造碳化硅半导体器件的方法，其中：

用于形成所述金属薄膜的所述金属材料包括Ni、Mo、Ti、W、Nb和Ta中的至少一种；以及

在形成所述金属薄膜时，所述金属薄膜具有在50nm和250nm之间的范围内的厚度。

6.根据权利要求3至5中任一项所述的用于制造碳化硅半导体器件的方法，其中：

在执行所述激光退火以形成所述欧姆电极时，所述激光束具有在2.5J/cm²至3.0J/cm²的范围内的能量密度，所述激光束通过光斑照射来照射，并且重叠长度相对于光斑直径的重叠率在50％和80％之间的范围内。