[发明专利]一种半导体晶片表面真空镀膜机在审
| 申请号: | 202011067717.X | 申请日: | 2020-10-07 |
| 公开(公告)号: | CN112159958A | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
| 发明(设计)人: | 杨保长 | 申请(专利权)人: | 杨保长 |
| 主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/56;C23C14/54 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 610000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种半导体晶片表面真空镀膜机,其结构包括冷却装置、真空泵、抽气管、真空腔、辅助加热片、蒸发源、卷辊、电机,本发明改进后进行使用时,工作人员通过水管将冷却水导送到储水槽内部,冷却水通过连通管导送导入件内部,导入件将冷却水稳定的输送到接水槽内部,接水槽内部的冷却水通过接管导送到分流件内部,通过分流条将导水槽分成三个部分,三个导水槽内部的冷却水可以通过互通孔互相流通,使得冷却水可以快速的通过出口导出,可以将冷却水稳定的送出口导流到的薄膜上,使得分流件内部的冷却水均匀的喷洒在薄膜上,防止薄膜表面因高温出现褶皱,保证薄膜表面的平整,提高薄膜的镀膜效果。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 半导体 晶片 表面 真空镀膜 | ||
【主权项】:
暂无信息
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