[发明专利]晶圆样品分析方法和装置在审
| 申请号： | 202011044823.6 | 申请日： | 2020-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114284163A | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 徐高峰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种晶圆样品分析方法和装置。该方法应用于二次离子质谱仪，包括：提供晶圆样品，所述晶圆样品至少包括一斜面，所述斜面用于在同一面上暴露衬底、第一保护层和第一掺杂层，其中所述第一保护层形成在所述衬底上，所述第一掺杂层形成在所述第一保护层上；获取所述斜面的斜面图像并分析所述斜面图像，得到所述斜面图像内所述晶圆样品中元素的掺杂深度和掺杂浓度。本申请提供的晶圆样品分析方法和装置解决了现有的分析晶圆中元素的方法存在的分析结果不准确的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 样品 分析 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
