[发明专利]晶圆样品分析方法和装置

权利要求书

1.一种晶圆样品分析方法，其特征在于，应用于二次离子质谱仪，所述方法包括：

提供晶圆样品，所述晶圆样品至少包括一斜面，所述斜面用于在同一面上暴露衬底、第一保护层和第一掺杂层，其中所述第一保护层形成在所述衬底上，所述第一掺杂层形成在所述第一保护层上；

获取所述斜面的斜面图像并分析所述斜面图像，得到所述斜面图像内所述晶圆样品中元素的掺杂深度和掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分为单晶硅，所述第二部分为掺杂单晶硅；所述第一保护层形成在所述掺杂单晶硅上。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获取所述斜面的斜面图像并分析所述斜面图像，得到所述斜面图像内所述晶圆样品中元素的掺杂深度和掺杂浓度包括：

根据所述斜面图像确定所述第一保护层沿斜面方向的第一长度；

根据所述斜面图像确定所述掺杂单晶硅沿所述斜面方向的第二长度；

获取所述第一保护层沿垂直于所述衬底方向的厚度，得到第一保护层厚度；

根据所述第一长度、所述第二长度和所述第一保护层厚度确定所述掺杂深度；

根据所述斜面图像确定所述掺杂深度对应的掺杂浓度；

根据所述掺杂深度和所述掺杂深度对应的掺杂浓度绘制分析结果图。

4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述晶圆样品还包括第二保护层，所述第二保护层形成在所述第一掺杂层上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层由硅的化合物组成。

6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂层通过低压化学气相沉淀法形成在所述第一保护层上，所述第一掺杂层中包括硼元素。

7.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述晶圆样品中掺杂浓度是通过预设能量的离子束轰击产生。

8.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述斜面与所述衬底所在平面之间的夹角的度数小于或等于10°。

9.一种晶圆样品分析装置，其特征在于，包括：

处理模块，用于获取斜面的斜面图像并分析所述斜面图像，得到所述斜面图像内晶圆样品中元素的掺杂深度和掺杂浓度；

所述晶圆样品至少包括一所述斜面，所述斜面用于在同一面上暴露衬底、第一保护层和第一掺杂层，其中所述第一保护层形成在所述衬底上，所述第一掺杂层形成在所述第一保护层上。

10.根据权利要求9所述的晶圆样品分析装置，其特征在于，所述衬底包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分为单晶硅，所述第二部分为掺杂单晶硅；所述第一保护层形成在所述掺杂单晶硅上。