[发明专利]一种Al2O3陶瓷基片的制造方法在审
| 申请号: | 202011044209.X | 申请日: | 2020-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN112047728A | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
| 发明(设计)人: | 田茂标;刘瑞生;周伟;杨海蓉 | 申请(专利权)人: | 成都万士达瓷业有限公司 |
| 主分类号: | C04B35/10 | 分类号: | C04B35/10;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645;B24B1/00 |
| 代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 苏丹 |
| 地址: | 611332 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | 本发明属于一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于制造步骤如下A.将基片原料进行球磨作业,制成基片粉料;B.将基片粉料进行烘干,烘干后进行除铁;C.将步骤B中得到的基片粉料与沾合剂进行混合成型;D.将初步混合成型的粉料进行初碾;E.将步骤D中初碾的粉料进行精碾,精碾过后进行尺寸检测;F.待步骤E中尺寸检测合格之后进行冲片步骤;G.对步骤F中冲片之后的初成片进行尺寸检测,将不合格的初成片选出;H.对步骤G中得到的合格成片进行生烧,生烧之后进行尺寸检测,所述生烧的温度变化范围为:初始120度,到达最高温度1665度之后逐步降温到120度,生烧时间为56小时。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 al2o3 陶瓷 制造 方法 | ||
【主权项】:
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