[发明专利]一种Al2O3陶瓷基片的制造方法在审

专利信息
申请号: 202011044209.X 申请日: 2020-09-28
公开(公告)号: CN112047728A 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 田茂标;刘瑞生;周伟;杨海蓉 申请(专利权)人: 成都万士达瓷业有限公司
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645;B24B1/00
代理公司: 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 代理人: 苏丹
地址: 611332 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 al2o3 陶瓷 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于制造步骤如下:

A.将基片原料进行球磨作业,制成基片粉料;

B.将基片粉料进行烘干,烘干后进行除铁;

C.将步骤B中得到的基片粉料与沾合剂进行混合成型;

D.将初步混合成型的粉料进行初碾;

E.将步骤D中初碾的粉料进行精碾,精碾过后进行尺寸检测;

F.待步骤E中尺寸检测合格之后进行冲片步骤;

G.对步骤F中冲片之后的初成片进行尺寸检测,将不合格的初成片选出;

H.对步骤G中得到的合格成片进行生烧,生烧之后进行尺寸检测,所述生烧的温度变化范围为:初始120度,到达最高温度1665度之后逐步降温到120度,生烧时间为56小时;

I.对步骤H中生烧过后尺寸合格的成片进行密度检测,密度检测合格之后进行除砂步骤;

J.对步骤I中合格除砂之后的成片进行筛选,之后进行压烧;

K.对步骤J中压烧完成的成片根据合格尺寸进行打磨;

L.对步骤K中得到的成片进行煅烧之后得到成品的Al2O3陶瓷基片。

2.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于:所述步骤C中成型时间为50--55分钟。

3.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于:所述步骤J中压烧分为四个阶段,压烧的温度范围为50--1200℃。

4.根据权利要求3所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于:所述压烧温度详细控制为:第一阶段50--400℃/180分钟,第二阶段400--800℃/170分钟,第三阶段800--1200℃/170分钟,第四阶段1200℃保温360分钟。

5.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于:所述步骤K中打磨具体为:磨片按规定磨削6面操作,先是初磨A面到精磨保留尺寸,磨B面同A面,精磨从D面开始磨到B面保留尺寸,然后磨 B面到规定尺寸,再磨C面,同D面最后磨A面到最终产品规定尺寸。

6.根据权利要求5所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于:所述步骤K中打磨的具体规格为:初磨A、B面磨到40.8--41mm,精磨B、C面到40.4--40.5mm,进刀量每次0.02mm,精磨最后0.2mm时进刀量每次为0.01mm。

7.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于:所述步骤K中煅烧分为四个阶段,煅烧温度范围为50--1150℃。

8.根据权利要求7所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于:所述煅烧温度详细控制为:第一阶段50--400℃/170分钟,第二阶段400--700℃/160分钟,第三阶段700--1150℃/160分钟,第四阶段1150℃保温360分钟。

9.根据权利要求1所述一种Al2O3陶瓷基片的制造方法,其特征在于:所述基片生烧、压烧、煅烧时基片的放置规格为:60片每摞,每层10摞,每推板放置4层,每板共烧结2400片,每片之间采用粒径100µm左右的氧化铝粉敷粉均匀筛致生胚表面隔粘。

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