[发明专利]一种SiC沟槽MOSFET及其制造工艺在审
| 申请号： | 202011034331.9 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112086361A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;黄传伟;李健;谈益民;吕文生 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 | 代理人： | 闫日旭 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种SiC沟槽MOSFET及其制造工艺，旨在解决现有技术中因SiC硬度过高，高温推结对掺杂杂质的再分布基本无效果形成的缺陷，其技术要点在于：选用SiC晶圆衬底，并在所述晶圆衬底外延上进行P‑well的注入。淀积第一层掩膜，在晶圆外延表面注入N+Source；去除第一层掩膜，淀积第二层掩膜，并进行P+注入。去除第二层掩膜，然后进行高温退火；淀积第三层掩膜，通过刻蚀打开所述第三层掩膜，并进行栅氧氧化形成栅氧化层及多晶沉积。上述一种SiC沟槽MOSFET制造工艺，先进行掺杂，然后在进行栅氧与多晶的制造，因沟道为垂直结构，对光刻精度要求较低，制造工艺步骤较少，且有效地降低了制造过程的复杂程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 沟槽 mosfet 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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