[发明专利]一种SiC沟槽MOSFET及其制造工艺在审
| 申请号： | 202011034331.9 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112086361A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 夏华忠;黄传伟;李健;谈益民;吕文生 | 申请（专利权）人： | 江苏东海半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 | 代理人： | 闫日旭 |
| 地址： | 214142 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 沟槽 mosfet 及其 制造 工艺 | ||
1.一种SiC沟槽MOSFET制造工艺，其特征在于：包含以下步骤：
S1：选用SiC晶圆衬底，并在所述晶圆衬底外延上进行P-well的注入；
S2：淀积生长第一层掩膜，并刻蚀第一层掩膜，在晶圆外延表面注入N+source；
S3：去除第一层掩膜，淀积生长第二层掩膜，刻蚀后进行P+注入；
S4：去除第二层掩膜，然后进行高温退火，以激活掺杂；
S5：淀积生长第三层掩膜，通过刻蚀打开所述第三层掩膜后再进行刻蚀，形成沟槽结构，再进行栅氧氧化形成栅氧化层及多晶沉积；
S6：对多晶硅进行光刻、刻蚀，保留沟槽内的多晶硅；
S7：在晶圆外延上进行金属层的生长、光刻及刻蚀形成源极及栅极；
S8：制作背面金属。
2.根据权利要求1所述的一种SiC沟槽MOSFET制造工艺，其特征在于：所述第一层掩膜为氧化硅-氮化硅-氧化硅结构的硬掩膜板，第一层掩膜淀积完成后，通过干法刻蚀去除第一层掩膜沟槽处的硬掩膜，以形成源区。
3.根据权利要求2所述的一种SiC沟槽MOSFET制造工艺，其特征在于：所述栅氧化层的形成是通过以下步骤实现的：在晶圆外延上生长牺牲氧化膜，刻蚀去除牺牲氧化膜，在沟槽区的沟槽壁形成栅氧化层。
4.根据权利要求3所述的一种SiC沟槽MOSFET制造工艺，其特征在于：所述金属层的生长是通过铝溅射得到的。
5.一种SiC沟槽MOSFET，其特征在于：使用权利要求1-4任一一项所述一种SiC沟槽MOSFET制造工艺制造得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
