[发明专利]功率器件及其基于自对准工艺的制造方法有效
| 申请号： | 202011025267.8 | 申请日： | 2020-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN112164653B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 温正欣;张振中;和巍巍;汪之涵;郑泽东 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 黄议本 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例公开一种功率器件及其基于自对准工艺的制造方法。所述方法包括：外延；沉积二氧化硅；刻蚀二氧化硅；刻蚀划片道；清洗；沉积薄氮化硅；沉积二氧化硅；沉积薄氮化硅；干法刻蚀掩膜；源区离子注入；掩膜腐蚀；阱区离子注入；清洗；沉积二氧化硅，光刻刻蚀后进行基区注入；碳膜工艺及高温激活；后续氧化、栅电极、源漏电极、接触退火及钝化等工艺，完成器件制备。所述功率器件由所述方法制造得到。本发明的实施例能提高沟道的均匀性，能减少光刻版数目、光刻次数和工艺成本，适用于碳化硅MOSFET的大规模量产。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 器件 及其 基于 对准 工艺 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
