[发明专利]集成电路的后段制程金属化叠层中的选择性互连在审
| 申请号： | 202011007713.2 | 申请日： | 2020-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112864128A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | S·利夫;A·埃尔谢尔比尼;J·斯旺 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张亚峰 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)器件结构，包括：主芯片，具有器件层和在器件层的相邻第一和第二区域之上的一个或多个第一金属化层级。第一金属化层级互连到器件层。互连芯粒在第一区域内的第一金属化层级之上。互连芯粒包括多个第二金属化层级，以及多个第三金属化层级，在第二区域内的第一金属化层级之上并且与互连芯粒相邻。互连特征尺寸或组成中的至少一个在第二金属化层级中的一个第二金属化层级与第三金属化层级中相邻的一个第三金属化层级之间不同。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 后段 金属化 中的 选择性 互连 | ||
【主权项】：
暂无信息
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