[发明专利]可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 202010998919.X | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN112309832B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 肖洪地;赵冲冲;杨小坤;刘杰 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/16 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王楠 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：通过电化学刻蚀技术制备纳米多孔GaN薄膜；采用有机金属化学气相沉积技术在纳米多孔GaN薄膜上外延生长氧化镓单晶薄膜；采用PDMS压印技术转移氧化镓单晶薄膜；采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术去除GaN层，完成制备。本方法可制备大面积(cm |
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| 搜索关键词： | 转移 氧化 镓单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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