[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010996569.3 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN112117193B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 王加坤;陈辉 | 申请（专利权）人： | 杭州芯迈半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 丁俊萍 |
| 地址： | 310051 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅MOSFET器件及其制造方法，所述方法包括：提供一具有第一掺杂类型的基底；在所述基底的上表面形成图案化的第一阻挡层；以所述第一阻挡层作为掩膜，采用第一次离子注入工艺倾斜注入形成从所述基底上表面延伸至其内部的基区，所述基区具有第二掺杂类型；在所述基底中形成第一掺杂类型的源区；在所述基底中形成第二掺杂类型的接触区，以及形成栅极结构，其中，通过调整所述第一次离子注入工艺的注入角度，以使得所述基区延伸至所述第一阻挡层的部分下方，所述第一次离子注入工艺的注入角度为所述第一次离子注入工艺的注入方向与所述基底上表面的夹角。本发明提供的方法不仅可以简化工艺，还可以实现短沟道，降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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