[发明专利]碳化硅MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括：

提供一具有第一掺杂类型的基底；

在所述基底的上表面形成图案化的第一阻挡层；

以所述第一阻挡层作为掩膜，采用第一次离子注入工艺倾斜注入形成从所述基底上表面延伸至其内部的基区，所述基区具有第二掺杂类型；

在所述基底中形成第二掺杂类型的接触区，形成所述接触区的方法包括：

以所述第一阻挡层为掩膜，采用第二次离子注入工艺自对准注入形成从所述基底的上表面延伸至其内部的所述接触区，其中，所述接触区的宽度小于所述基区的宽度；

在所述接触区中形成第一掺杂类型的源区，形成所述源区的方法包括：

至少刻蚀所述第一阻挡层横向方向的部分厚度，

在被刻蚀的所述第一阻挡层之间形成第三阻挡层；以及

以被刻蚀的所述第一阻挡层和所述第三阻挡层作为掩膜，采用第三次离子注入工艺自对准注入形成从所述基底的上表面延伸至其内部的所述源区，

其中，刻蚀所述第一阻挡层的厚度小于所述基区在所述第一阻挡层下方延伸的宽度；以及

去除所述所述第一阻挡层后，形成栅极结构，

其中，通过调整所述第一次离子注入工艺的注入角度，以使得所述基区延伸至所述第一阻挡层的部分下方，所述第一次离子注入工艺的注入角度为所述第一次离子注入工艺的注入方向与所述基底上表面的夹角。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，通过旋转所述第一次离子注入工艺的注入方向，使得所述基区的两侧都延伸至所述第一阻挡层的部分下方。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，通过控制所述第一次离子注入工艺的注入角度，以控制所述基区延伸在所述第一阻挡层下方的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一次离子注入工艺的注入角度越小，所述基区延伸在所述第一阻挡层下方的宽度越大。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过控制所述第一次离子注入工艺的注入能量，以控制所述基区延伸在所述第一阻挡层下方的宽度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一次离子注入工艺的注入能量越大，所述基区延伸在所述第一阻挡层下方的宽度越大。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一次离子注入工艺的注入角度为45度。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一阻挡层和所述第三阻挡层的材料不同。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，刻蚀所述第一阻挡层的厚度范围为800-1200埃。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀所述第一阻挡层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述源区之后，去除所述第三阻挡层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极结构的方法包括：

在所述基底的上表面形成栅介质层；以及

在所述栅介质层部分上表面上形成栅极导体；

其中，所述栅极导体覆盖至少部分所述源区和所述基区。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，还包括：

在所述栅介质层和所述栅极导体上沉积层间介质层，

刻蚀所述层间介质层和所述栅介质层形成裸露所述接触区和部分所述源区上表面的开孔，

在所述开孔中形成源极金属，以及

在所述基底的背面形成漏极金属。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掺杂类型为N型和P型之一，所述第二掺杂类型为N型和P型中另一个。