[发明专利]像素单元阵列、传感器芯片以及电子设备在审
申请号: | 202010988669.1 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112103303A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 兰洋;沈健;姚国峰;袁晓龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请实施例提供了一种像素单元阵列与电子设备。像素单元阵列中,第一像素单元与第二像素单元均设置在衬底层上,衬底层上包括呈阵列排布的多个像素区域,每个第一像素单元占据一个像素区域,每个第二像素单元占据多个像素区域形成的阵列中M行、N列的像素区域;其中M、N均为正整数,且M+N≥4,子像素的体积大于第一像素单元的体积;遮光层用于遮挡入射光线的遮光层,每个遮光层包括形状相同的两个子遮光层,子遮光层与子像素一一对应;每个子遮光层设置在对应的子像素上,且覆盖部分对应的子像素的感光区域;两个子遮光层关于参考平面镜像对称,参考平面为两个子像素的接触面所在的平面。本发明中,提升了像素单元阵列在强光下的对焦性能。 | ||
搜索关键词: | 像素 单元 阵列 传感器 芯片 以及 电子设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的