[发明专利]像素单元阵列、传感器芯片以及电子设备在审
申请号: | 202010988669.1 | 申请日: | 2020-09-18 |
公开(公告)号: | CN112103303A | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 兰洋;沈健;姚国峰;袁晓龙 | 申请(专利权)人: | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 518045 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 阵列 传感器 芯片 以及 电子设备 | ||
1.一种像素单元阵列,其特征在于,包括:衬底层、多个第一像素单元以及至少一个第二像素单元,所述第二像素单元用于进行自动对焦相位检测,所述第二像素单元包括相邻设置两个子像素与遮光层;
所述第一像素单元与所述第二像素单元均设置在所述衬底层上,所述衬底层上包括呈阵列排布的多个像素区域,每个所述第一像素单元占据一个所述像素区域,每个所述第二像素单元占据所述多个像素区域形成的阵列中M行、N列的所述像素区域;其中M、N均为正整数,且M+N≥4,所述子像素的体积大于所述第一像素单元的体积;
所述遮光层用于遮挡入射光线的遮光层,每个所述遮光层包括形状相同的两个子遮光层,所述子遮光层与所述子像素一一对应;
每个所述子遮光层设置在对应的所述子像素上,且覆盖部分对应的所述子像素的感光区域;两个所述子遮光层关于参考平面镜像对称,所述参考平面为两个所述子像素的接触面所在的平面。
2.如权利要求1所述的像素单元阵列,其特征在于,每个所述子像素的感光区域被分为第一区域与第二区域,所述第一区域与所述接触面不接触,且所述第一区域较所述第二区域远离所述接触面;
每个所述子遮光层覆盖对应的所述子像素的所述第一区域。
3.如权利要求2所述的像素单元阵列,其特征在于,每个所述子像素的感光区域被与所述接触面平行的平面分为所述第一区域与所述第二区域。
4.如权利要求3所述的像素单元阵列,其特征在于,所述第一区域与所述第二区域形状相同。
5.如权利要求1所述的像素单元阵列,其特征在于,所述第二像素单元还包括微透镜;
所述微透镜罩设的区域仅包括各所述子像素上未被所述子遮光层覆盖的感光区域,或者所述微透镜罩设的区域包括各所述子像素上未被所述遮光层覆盖的感光区域与部分所述遮光层。
6.如权利要求1所述的像素单元阵列,其特征在于,所述子遮光层的面积与所述子像素的的感光区域的面积的比值大于或等于10%且小于或等于90%。
7.如权利要求1所述的像素单元阵列,其特征在于,所述参考平面为所述接触面所在的平面沿所述接触面的垂线平移预设偏移量后得到的平面。
8.如权利要求1所述的像素单元阵列,其特征在于,所述第一像素单元与所述第二像素单元均为柱体结构,所述第一像素单元的感光区域在所述衬底层上的投影覆盖一个所述像素区域,每个所述第二像素单元的感光区域在所述衬底层上的投影覆盖所述M行、N列的所述像素区域。
9.一种传感器芯片,其特征在于,包括:权利要求1至8中任一项所述的像素单元阵列。
10.一种电子设备,其特征在于,包括:权利要求9所述的传感器芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的